双极性電晶體（英語：bipolar transistor），或稱雙載子接面電晶體，全称双极性结型晶体管（bipolar junction transistor，縮寫：BJT），俗称三极管，是一种具有三个终端的电子器件。双极性晶体管是电子学历史上具有革命意义的一项发明，:79其发明者威廉·肖克利、约...

晶体管有时被称为「单极性晶体管」，以它的单载流子型作用对比双极性晶体管。FET仅使用电子（n沟道）或空穴（p沟道）作为载流子，而非同时使用两者。由于半导体材料的限制，以及曾经双极性晶体管比场效应晶体管容易制造，场效应晶体管比双极性晶体管要晚造出，但场效应晶体管的概念却比双极性晶体管早。场效应晶体管...

拉顿组成的研究小组，研制出一种点接触型的锗晶体管。 晶体管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET） 電晶體一般都有三個極，其中一極兼任輸入及輸出端子，(B)基極不能做輸出，(C)集極不能做輸入之外，其餘兩個極組成輸入及輸出對。 電晶體之所以有如此多用途在於其訊號放大能力，當微...

异质结双极性晶体管（英語：heterojunction bipolar transistor，縮寫：HBT）是双极性晶体管的一种，它的发射区和基区使用了不同的半导体材料，这样，发射结（即发射区和基区之间的PN结）就形成了一个异质结。异质结双极性晶体管比一般的双极性晶体管...

晶体接在一起、共同接在一个集电极的创意申报了专利。 另一种看起来与之相似的结构是将两个半导体类型晶体管连接起来（例如NPN-PNP），这种结构被称作是西克对管（Sziklai pair）。 一个达灵顿晶体管看起来就像是具有很高电流增益（大约是所使用的两个双极性晶体管的电流增益的乘积）的双极性晶体管...

晶体来显示其可行性。1947年约翰·巴丁、沃尔特·布喇顿和威廉·肖克利在试图制造一个结型场效应管时发现了点接触型晶体管。许多年后结型场效应管才被生产出来。 与双极性晶体管相比，结型场效应管在一千赫以下噪声小得多。在高频时，假如源电阻高于约十萬欧姆至一兆欧姆的情况下，结型场效应管也比较有效。...

BiCMOS，是一种新型的半导体器件技术，它将以前两种独立的半导体器件类型——双极性晶体管（BJT）和互补式金属氧化物半导体（CMOS），集成到单一集成电路上。...

双极性晶体管 三极管 (真空管)...

矽鍺（英語：Silicon-germanium，縮寫為SiGe），是一種合金，依矽和鍺的莫耳比可以表示成SixGe1-x。常被用作積體電路（IC）中的半導體材料，可做成异质结双极性晶体管或CMOS電晶體中的應變誘發層（strain-inducing layer）。IBM公司于1989年在工业生产中引入了硅锗合金相关技术，这一新技術使混合...

法为，检查信号输入和输出的通路，剩余的那一端即为“公共端”。在右图的例子中，信号从栅极进入，从漏极离开。唯一剩余的一端为源极，因此它是共源极。在双极性晶体管中，类似的概念称作共射极。 电子学主题 共汲極 差動放大器 混合-Pi 模型（英语：Hybrid-pi model） 二端口網路 JFET Common...

一塊半導體晶體一側摻雜成p型半導體，另一側摻雜成n型半導體，中間二者相連的接觸面间有一个过渡层，稱為pn接面、p-n接面（p-n junction）。pn接面是電子技術中許多元件，例如半導體二極管、雙極性晶體管的物质基础。 1948年，威廉·肖克利的論文《半導體中的pn接面和pn接面型晶體管...

辨識一個場效電晶體放大器電路是共源極、共閘極還是共汲極的簡易方法為，檢查訊號輸入和輸出的通路，剩餘的那一端即為「公共端」。 在双极性晶体管中，类似的概念称作共集极。 电子学主题 共源極 差動放大器 混合-Pi 模型（英语：Hybrid-pi model） 二端口網路...

G. Milnes (1970), written at New York and London, Heterojunctions and metal-semiconductor junctions, Academic Press, ISBN 0-12-498050-3. 异质结双极性晶体管 pn结...

Beam Epitaxy, MBE）成長出多層的磊晶材料。這類半導體材料在高速半導體元件或是光電元件，如异质结双极性晶体管（Heterojunction Bipolar Transistor, HBT）、雷射二極體，或是太陽能電池上已經成為主流。 直接带隙和间接带隙...

幾何二極體 双极性晶体管（Bipolar Junction Transistor、BJT）- NPN或PNP 异质结双极性晶体管 達靈頓電晶體（Darlington transistor）- NPN或PNP 場效電晶體（Field effect transistor、FET） 结型场效应管（Junction...

辨識一個場效電晶體放大器電路是共源極、共閘極還是共汲極的簡易方法為，檢查訊號輸入和輸出的通路，剩餘的那一端即為「公共端」。 在双极性晶体管中，类似的概念称共基极。 电子学主题 共汲極 共源極 差動放大器 混合-Pi 模型（英语：Hybrid-pi model） 二端口網路 A 24GHz...

式主要有：信号的发生、放大、滤波、转换。 半導體 二極體 双极性晶体管 场效应管 截波電路、箝位電路、穩壓電路 整流器 半波整流 全波整流 變壓器中間抽頭 橋式整流 倍壓器 濾波電路 低通滤波 高通滤波 带通滤波 带阻滤波 電晶體開關 電晶體的三種基本電路（共射極、共基極、共集極） 放大器電路 运算放大器...

；在N型半导体中少数载流子是空穴，而在P型半导体中少数载流子是电子。 少数载流子在双极性晶体管和太阳能电池中起重要作用。不过，此种载流子在场效应管（FET）中的作用是有些复杂的：例如，MOSFET兼有P型和N型。晶体管涉及到源漏区，但这些少数载流子横穿多数载流子体。不过在传送区内，横穿的载流子比其相...

{\displaystyle f_{T}} 除以实际工作频率，就可以得到截止频率和过度频率之间某处的晶体管电流增益。通常，晶体管需要工作在 f T {\displaystyle f_{T}} 以下，这样它们才能起到放大或振荡器的作用。在双极性晶体管中，频率响应还和内部结电容有关。其过渡频率随集电极电流变化而变化，在某个特定...

在电子学中，共集极（英語：Common collector）放大器是双极性晶体管（bipolar junction transistor (BJT)）放大器电路的三种基本组成方式之一（另外两种为共射极和共基极），通常被用在电压缓冲器中。在这种电路接法里，晶体管的基极充当输入端，射极则充当输出端，集电极作为二者的公...

晶体管。 电阻结构，电阻结构的长宽比，结合表面电阻系数，决定电阻。 电容结构，由于尺寸限制，在IC上只能产生很小的电容。 更为少见的电感结构，可以制作芯片载电感或由回旋器模拟。 因为CMOS设备只引导电流在逻辑门之间转换，CMOS设备比双极型元件（如双极性晶体管...

[2013-01-06], ISBN 978-1-4244-4256-0, ISSN 1078-621X, （原始内容存档于2019-07-01）  GaAs FET MESFET （页面存档备份，存于互联网档案馆） radio-electronics.com. 场效应管 高电子迁移率晶体管 异质结双极性晶体管...

基极的电流大小可以控制通过发射极和集电极的电流大小，双极性晶体管能够放大信号，并且具有较好的功率控制、高速工作以及耐久能力。 由源极、栅极、漏极三电极组成，由施加在栅极上的电压可以控制导电沟道的开通关闭，可用于信号放大，且由于漏电流比双极性晶体管小，是现代数字集成电路的基础。...

用电子设计自动化的方式进行，已经成为计算机工程的重要分支之一。 在1920年代，一些发明家试图掌握控制固态二极管中电流的方法，他们的构想在后来的双极性晶体管中得以实现。然而，他们的设想直到第二次世界大战结束之后才得以实现。在战争时期，人们把精力集中在制造雷达这样的军工产品，因此电子工业的发展并不如之...

晶体管配置成CMOS反相器。这种配置可以大幅降低功耗，因为在两种逻辑状态中，两个晶体管中的一个总是截止的。处理速率也能得到很好的提高，因为与NMOS型和PMOS型反相器相比，CMOS反相器的电阻相对较低。反相器也可以电阻－晶体管逻辑（RTL）或晶体管－晶体管逻辑（TTL）使用双极性晶体管（BJT）构建。...

晶体管的电流是其两端电压的非线性函数 I = I 0 e x p ( V / V T ) {\displaystyle I=I_{0}exp(V/V_{T})} 在有的电子电路中，非线性元件需要尽量避免，以免信号流经器件后发生失真。在某些条件下（如双极性晶体管...

摩根·斯帕克斯（英語：Morgan Sparks，1916年7月6日—2008年5月3日）是一位美国物理化学家和工程师，工作于桑迪亚国家实验室，知名于在1951年发明了双极性晶体管。 Melanie Dabovich (Associated Press). Former Sandia labs director dies....

mbination）指半导体中的载流子（电子和空穴）成对消失的过程。这一过程在许多光电半导体材料中都会涉及。在一些具有PN结的器件，例如二极管和双极性晶体管中，为了研究其详细的工作原理，分析载流子的复合过程也是必要的。 非輻射結合生命期（Non-radiative life...

InP、InGaN等）或二六族化合物半導體，主要用于光電元件（例如：發光二極體、雷射二極體及太陽能電池）及微電子元件（例如：异质结双极性晶体管）及假晶式高電子遷移率電晶體（PHEMT））的製作。 MOCVD系統的組件可大致分為：反應室、氣體控制及混合系統、反應源及廢氣處理系統。 1. 反應室(Reactor...

driver）是一種功率放大器，可以讓控制集成电路產生的小功率訊號來驅動功率晶體（例如IGBT或是功率級MOSFET）的閘極。閘極驅動器可能是附在功率晶體上，也有可能是獨立的元件。閘極驅動器會包括位準轉換器以及放大器電路。 MOSFET和双极性晶体管不同，MOSFET在沒有切換（切換導通或是切換關斷）時，不需要...

今日，仍有相当比例的PC机电源基于TL494芯片。多年来，作为最廉价的双端PWM芯片，TL494在双端拓扑，如推挽和半桥中应用极多。由于其较低的工作频率以及单端的输出端口特性，它常配合功率双极性晶体管（BJT）使用，如用于配合功率MOSFET则需外加电路。 TL494已成为一种工业标准芯片，由很多...