延迟线存储器（英語：Delay line memory）是用在早期计算机上的一种内存存储媒体。类似现代的许多電腦中的电子存储设备，延迟线存储器是一种可以重刷新（refreshable）的存储器，但是与现代的随机存取存储器不同的是，延迟线存储器的工作方式为循序存取。在最早的延迟线存储器...

存储器（英語：memory，台湾译记忆体）是计算机中能接收和存储数据，并能根据控制命令提供所存数据的基本硬件。现代的计算机系统以存储器为中心，故存储器的特性是影响整个计算机系统最大吞吐量的决定性因素。 存储器又分为主存储器（main memory，简称“主存”、“内存”，又称“内存储器”）和辅助存储器（auxiliary...

随机存储器（英語：Random-access memory，简称RAM），又称RAM存储器，是一种可随机读写的存储器，与只读存储器（ROM）一起构成主存储器，与中央处理器（CPU）直接交换数据。与ROM不同，RAM在电源关闭时会丢失存储数据，是一种易失性（volatile）存储器...

力供應停止時，SRAM儲存的数据還是會消失（被称为易失性存储器），這與在斷電後還能儲存資料的ROM或快閃記憶體是不同的。 SRAM由存储矩阵、地址译码器和读/写控制电路组成，容量的扩展有两个方面：位数的扩展用芯片的并联，字数的扩展可用外加译码器控制芯片的片选输入端。SRAM中的每一bit储存在由4个场效应管（M1...

FRAM（Ferroelectric RAM，铁电随机存取内存） MRAM（Magnetoresistive RAM，磁阻式随机存取内存） 忆阻器存储器 由电池（多为锂一次电池）供电的静态随机存取存储器，其缺点是会随着电量耗尽而失效 硬碟、光碟與磁帶雖然也是非揮發性貯存裝置，但被歸類為現行NVM一般特指非機械式之電子類記憶體元件。...

动态随机存储器，又称动态RAM（dynamic random-access memory, DRAM，台湾作動態隨機存取記憶體），是一种半导体存储器，通常被用作主存储器，用於存儲運行中的程式和數據。在DRAM中，每個記憶單元由一個電容和一個電晶體組成，主要的作用原理是利用電容內儲存電荷的多寡來代表...

只读存储器（read-only memory, ROM，台湾译唯讀記憶體）是一種存储器，与随机存储器（RAM）一起构成主存。与RAM不同，ROM在掉电时不会丢失所存储的数据，并非易失性（volatile）存储器。 只读存储器非常适合那些在生命周期中几乎不會被更改的软件，例如电脑和手機的操作系統、CP...

延迟线存储器。而莫里斯·威尔克斯于1947年製造了搭載延迟线存储器，可以存储32個17位元字符的EDSAC電腦，。由于延迟线存储器本质上是串行的，因此機器逻辑也是位串行的。 埃克特和约翰·莫奇利在 1951 年製造的UNIVAC I中也使用了该技术，并于 1953 年申請了延迟线存储器专利。延迟线...

突发模式扩展数据输出内存 Burst EDO DRAM (BEDO) 同步動態記憶體 (SDRAM) 存储器总线式动态随机存储器 Rambus Dynamic Random Access Memory(RDRAM) 直达存储器总线式内存Direct Rambus DRAM (DRDRAM) 显示卡内存: 同步图形动态内存...

由於速度增加，其傳輸效能優於傳統的SDRAM。 DDR SDRAM 在系统时钟的上升沿和下降沿都可以进行数据传输。 JEDEC固態技術協會为DDR存储器设立速度规範，并分为以下两个部分：按内存芯片分类和按内存模块分类。 SDRAM在一個時鐘周期内只传输一次資料，它是在时钟上升期進行資料传输；而DD...

存储器规格，其有專屬的工作頻率、時脈、電壓，因此與市面上標準的DDR記憶體有所差異，与普通DDR内存不同且不能共用。一般它比主内存中使用的普通DDR存储器时钟频率更高，发热量更小，所以更适合搭配高端显示芯片，一般来说，GDDR的带宽相比DDR会更大，但是读写延迟会高于DDR。...

（英語：Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory，简称：EEPROM或E2PROM），是一種只读存储器（ROM），可以通過電子方式多次複寫。相比EPROM， EEPROM 不需要用紫外線照射，也不需取下，就可以用特定的電壓，來抹除芯片上的信息，以便寫入新的數據，...

9毫秒）。 使用延迟线存储器，具有1000个44位（bit）的字。 物理上包括： 一个磁带记录仪 一个连接示波器的控制单元 一个分发单元，用于从控制器和内存接受指令，并分发到其他单元 一个运算单元 一个定时器 使用汞延迟线的存储器单元...

上的内存控制器。另外，存储器芯片也可以直接堆叠在CPU或GPU芯片上。堆栈内，芯片通过硅穿孔（TSV）及微突起（英语：microbump）相连接的可选基底裸晶，附带内存控制器。高頻寬記憶體技术原理上与美光科技开发的混合内存立方体接口类似，但不相兼容。 高頻寬記憶體内存总线...

半导体存储器（英語：semiconductor memory）是一种用于数字数据存储（英语：Digital Data Storage）的数字电路半导体器件，例如電腦記憶體。数据會存储在硅集成电路存储芯片上的金属氧化物半导体（MOS）存储单元内。目前有许多不同的类型的半导体技术。两种常見的随机存取存储器...

SDRAM本身的延遲其實並不比異步DRAM更低（延遲更低意指速度更快）。其實，早期的SDRAM因為其構造中的附加邏輯單元，在速度上比同時期的爆發式延伸數據輸出DRAM（Burst EDO DRAM）還有所不及。而SDRAM的內建緩衝則可以使得運算交叉進入多行存儲，這樣就可以有效提高带寬，速度更快。...

I卖给美國普查局。该计算机共售出46台。 此計算機的真空管数量为5200只，与ENIAC相比，真空管数量仅为三分之一以下。存储器为1000字，字长为12个十进制位，使用100根水银延迟线存储器实现。一套UNIVAC I占地26.7平方米，重量7.2吨。 「UNIVAC I」是通用自动计算机1號（Universal...

快閃記憶體（英語：flash memory）是一种像电可擦写只读存储器一样的存储器，允许對資料進行多次的刪除、加入或改写。這種記憶體廣泛用於記憶卡、隨身碟之中，因其可迅速改寫的特性非常適合手機、筆記本電腦、遊戲主機、掌機之間的檔案轉移，也曾經是數位相機、數位隨身聽和PDA的主要資料轉移方式。...

JEDEC设立DDR存储器的速度規範，分为两个部分：按内存芯片分类和按内存模块分类。 像所有的SDRAM实现方法一样，DDR2 SDRAM有一个同步接口，在响应控制输入前会等待一个时钟信号，这样就能和计算机的系统总线同步。像之前的DDR，DDR2 I/O 缓冲器在时钟信号的上升沿和下降沿都传输数据（一种叫做"double...

ACE总计大约800个真空管，使用水银延迟线作为主存。原始的存贮大小是128个32位的字，之后扩充到352个字；1954年添加了一个4096大小的磁鼓存储器。基础时钟频率是1MHz，在英国早期电子计算机中是最快的。运行一条指令的时间高度依赖于指令在存储器中的位置（原因是使用延迟线存储器）。一个加法可能需要64毫秒至1024毫秒。...

一些1970年代早期的设备曾以类似延迟线存储器的方式用过非常大规模的串入串出移位寄存器，其规模达到上千位。这类存储器有时被称为循环存储器（circulating memory）。例如，DataPoint 3300将其25列、72行的字符显示数据存储在54个200位的移位寄存器里，以6个堆栈...

磁镀线存储器（英語：Plated wire memory）是由贝尔实验室在1957年研发的一个磁芯記憶體分支。它最主要的优势在于它能够被机械组装，相比手工组装的磁芯，这潜在地降低了成本。 磁镀线存储器使用了网格式导线，并涂上了一层铁-镍合金（透磁合金）薄层，而不是独立的铁酸盐核心。传统存储...

固態硬盤 光盘机 内部存储器是可以被电脑的中央处理器直接访问而不需要通过输入输出设备的存储设备。内部存储器一般用来存储运算时的数据。内存一般速度很快，例如随机存储器（RAM）。 RAM也是非永久性存储器，在断电的时候，将失去所存储的内容。只读存储器就不是易失去内容的，但不适合用来存储...

存储，而是由磁存储元件存储。 这些元件由两个铁磁性板形成，每个铁磁板可以保持由薄的绝缘层分开的磁化。两个板之一是设置为特定极性的永磁体; 另一个板的磁化可以改变以匹配外部磁场的磁化来存储存储器。 这种配置被称为磁性隧道结，是MRAM位的最简单的结构。存储设备由这样的“单元”的网格构建。...

速度，还有更长的读写寿命(大约10¹⁰到10¹⁵次循环)。它在+85℃时可以保存数据十年以上。但是它的缺点是比闪存存储密度低，存储容量限制，和更高的价格。与DRAM相比，铁电随机存取器的读操作是破坏性的，因为它需要遵循先写后读架构；若比較舊製程的產品，其密度及速度與相同製程的DRAM接近，但不知道...

machines）。不过不久之后，磁芯記憶體等其他技术取代了磁鼓器成为了主要的儲存媒体，直到最后半导体記憶體进入了儲存媒体的领域。 维基共享资源上的相关多媒体资源：磁鼓存储器 The Story of Mel （页面存档备份，存于互联网档案馆） – the classic...

提拉法得到厘米级的Bi12SiO20单晶。Bi12SiO20具有压电性、电光效应、弹光效应、光折变效应和光电导效应性质，因此在偏振调制器、 声学延迟线存储器和全息存储设备方面有潜在运用。 Bi12SiO20可以通过由碱式碳酸铋和二氧化硅在乙二醇中得到，此时得到为白色粉末，带隙约为3.2 eV。...

磁扭线存储器（英語：Twistor memory）是一种计算机存储设备，类似磁芯記憶體，通过包裹或封闭通电导线附近的磁带来实现。尽管磁扭线存储器的开发者贝尔实验室对它抱有很大的希望，它只在1968年到1970年中旬很短的一段时间里得到市场应用。这段时间里，早期的存储...

存储进行的寄存器I/O访问。 CXL.cache – 允许外围设备透过低延迟请求/响应接口访问和缓存主机CPU内存。当内存被缓存到外部设备时，CPU只需要在本地缓存中保留最常用的数据。 CXL.mem – 允许主机CPU透过加载/存储命令一致性地访问缓存的设备内存，并且同时适用于静态随机存取存储器...

可擦除可编程只读存储器（英語：Erasable Programmable Read Only Memory，縮寫：EPROM），由以色列工程師[Dov Frohman] 错误：{{Lang}}：无效参数：|3=（帮助）發明，是一種斷電後仍能保留資料的計算機儲存芯片——即非易失性的（非揮發性）。它是...

存储程序式电子计算机。 项目的投资方是英国的J. Lyons & Co. Ltd.，该公司后来推出基于EDSAC设计的第一代商业应用电子计算机LEO I（英语：LEO I）。 EDSAC使用了约3000个真空管，排在12个柜架上，占地5×4米，功率消耗12Kw 。 使用水银延迟线作存储器...