动态随机存储器，又称动态RAM（dynamic random-access memory, DRAM，台湾作動態隨機存取記憶體），是一种半导体存储器，通常被用作主存储器，用於存儲運行中的程式和數據。在DRAM中，每個記憶單元由一個電容和一個電晶體組成，主要的作用原理是利用電容內儲存電荷的多寡來代表...

随机存储器（英語：Random-access memory，简称RAM），又称RAM存储器，是一种可随机读写的存储器，与只读存储器（ROM）一起构成主存储器，与中央处理器（CPU）直接交换数据。与ROM不同，RAM在电源关闭时会丢失存储数据，是一种易失性（volatile）存储器...

存储器主体为动态随机存储器（DRAM），“主存储器”乃至“存储器”一词有时特指DRAM；另外，静态随机存储器（SRAM）与只读存储器（ROM）等也可作主存储器的一部分。辅助存储器和输入输出设备都属于外设，用来存放CPU运行时暂时不用的各种程序和数据，一般在断电后仍能保存。辅助存储器的存储...

静态随机存储器，又称静态RAM（static random-access memory, SRAM，台湾译靜態隨機存取記憶體），是隨機存取記憶體的一種。所謂「靜態」，是指這種存储器只要保持通電，儲存的数据就可以恆常保持。相對之下，動態隨機存取記憶體（DRAM）裡面所儲存的数据就需要週期性地更新。然...

双倍数据率同步動態隨機存取記憶體（英語：Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，簡稱DDR SDRAM或DDR），為具有雙倍資料傳輸率的SDRAM，其資料傳輸速度為系統時脈的兩倍，由於速度增加，其傳輸效能優於傳統的SDRAM。...

内存，全称内存储器，是中国大陆特有词汇，官方定义为： 主存储器（main memory）的（非推荐）别名，与“辅助存储器”（又称“外存储器”）相对。主体为随机存储器（RAM），有时也包括只读存储器（ROM，不包括手机闪存）等其他部件。 除此之外，“内存”还可以指： 随机存储器...

DRAM (BEDO) 同步動態記憶體 (SDRAM) 存储器总线式动态随机存储器 Rambus Dynamic Random Access Memory(RDRAM) 直达存储器总线式内存Direct Rambus DRAM (DRDRAM) 显示卡内存: 同步图形动态内存 Synchronous...

存储器主体为动态随机存储器（DRAM），“主存储器”乃至“存储器”一词有时特指DRAM；另外，静态随机存储器（SRAM）与只读存储器（ROM）等也可作主存储器的一部分。如果需要，可以将主存的内容传输到外部存储器；一种常见的方法是通过称为虚拟内存的内存管理技术来实现这一点。 大多数半导体存储器...

同步動態隨機存取記憶體（英語：Synchronous Dynamic Random-Access Memory），簡稱SDRAM，是一種利用同步計時器對記憶體的輸出入信號加以控制的動態隨機存取記憶體（DRAM）。SDRAM是在DRAM的架構基礎上增加同步和雙區域（Dual...

動態隨機記憶體價格操縱是指動態隨機存取記憶體（DRAM）製造商透過聯合哄抬等方式操縱價格的行為。 在2002年，依據《休曼法案》，美國司法部對於动态随机存取存储器（DRAM）製造商的行為展開調查，指控當時DRAM的四大廠：三星電子、海力士、美光和英飛凌，企圖聯手操控價格，並控告其聯合壟斷價格的行為...

双晶体管随机存储器（英語：Twin Transistor random access memory，缩写：TTRAM）是一种新型的计算机存储设备，由瑞萨电子研发。 在概念上，双晶体管随机存储器类似传统的单晶体管、单电容的动态随机存取存储器（DRAM），但是通过SOI加工技術中固有的浮体效应（Float...

存储单元使用多个MOS晶体管，另一個是动态RAM（DRAM），每个单元使用一个MOS晶体管和一个MOS电容。非易失性存储器（如EPROM、EEPROM和闪存）使用浮栅存储单元，每个单元由一个浮栅MOS 晶体管组成。大多数类型的半导体存储器都具有随机访问的特性，也就是说访问任何存储...

缘体和半导体，固态电子器件还是以结晶半导体为主。 通常的固态器件包括晶体管、微处理器芯片以及动态随机存取存储器（Dynamic random-access memory (DRAM)）等。动态随机存取存储器在计算机及其相关产品中应用广泛，而且最近的固态硬盘有取代传统机械旋转式硬盘的趋势。固态电子器...

零电容随机存储器（英語：Zero-capacitor random access memory，缩写：Z-RAM）是一种新型的动态随机存取存储器，是由Innovative Silicon公司基于SOI技術的浮体效应（Float body effect）研发的。该技术已经被超微半导体（AMD）许可用于未来的微处理器。Innovative...

非易失性隨機存取記憶體（英語：Non-volatile random-access memory，簡稱NVRAM）是無需持續供電即可保留數據的隨機存取記憶體。這與動態隨機存取記憶體（DRAM）和靜態隨機存取記憶體（SRAM）形成對比，後兩者只有在供電期間才能保持數據，也與無法隨機...

因为这些快速但复杂且昂贵的内存本身具有大小限制，使得紧凑代码非常有利。当然，它们之所以需要，是因为与（高性能）CPU核心相比，主内存（即今天的动态随机存储器）依然很慢。 虽然许多设计达到了提高吞吐量和降低成本的目标，并且通过较少的指令表达了高级语言构造，但也观察到，这并非总是如此。例如，复杂架构的...

存储进行的寄存器I/O访问。 CXL.cache – 允许外围设备透过低延迟请求/响应接口访问和缓存主机CPU内存。当内存被缓存到外部设备时，CPU只需要在本地缓存中保留最常用的数据。 CXL.mem – 允许主机CPU透过加载/存储命令一致性地访问缓存的设备内存，并且同时适用于静态随机存取存储器...

现镇海区）。1947年入读宁波中学。1953年考入北京大学，1958年毕业。 20世纪70年代，主持研制成功中国第一块3种类型1024位MOS动态随机存储器。20世纪80年代，提出多晶硅薄膜“应力增强”氧化模型，工程应用方程和掺杂浓度与迁移率的关系，受国际同行重视。20世纪90年代后期，开始研究微...

Rowhammer是一种对动态随机存取存储器（DRAM）攻击方法。这种攻击利用了DRAM在运行过程中产生的意外电荷泄漏效应，攻击会导致存储器单元泄露电荷并可能造成比特翻转，攻击存在的一个原因是现在DRAM存储单元的高密度排列造成的。一些高端芯片采用ECC(error-correcting...

存储”在了上面） 发射电子束然后再来读取的方式来存储数据的。当然，这些尽管有效却不怎么优雅的方法最终还是被磁性存储取而代之。比如说磁芯存储器， 代表信息的电流可在其中的铁质材料内制造恒久的弱磁场，当这个磁场再被读出时就实现了数据恢复。动态随机存储器...

VRAM就是一種常見的雙埠动态随机存取存储器（DRAM），大部份由於影像記憶體，允許在中央處理器繪製圖形的同時，讓影示器硬體同時讀出資料，顯示在螢幕上。不過大部份的雙埠隨機存取記憶體都是用静态随机存取存储器（SRAM），不會使用像VRAM一樣的DRAM技術。 因為雙埠隨機...

年发布的一篇研究显示，数据在室温下将残留在动态随机存储器 (DRAM)里长达数秒至数分钟之久，在处理器冷却下来之后可存留更长时间。这使得研究人员能够执行冷启动攻击来从主流的一些磁盘加密方式中恢复解密密钥，这也包括FileVault, 研究人员利用其采用的密钥扩展后的冗余存储...

第三代雙倍資料率同步動態隨機存取記憶體（英語：Double-Data-Rate Three Synchronous Dynamic Random Access Memory，一般稱為DDR3 SDRAM），是一種電腦記憶體規格。它屬於SDRAM家族的記憶體產品，提供相較於DDR2 SDRAM更高的運行效能與更低的電壓，是DDR2...

个单独的芯片，或集成到有关的大型芯片里；如CPU或北桥内置的内存控制器。 内存控制器控制着必要的逻辑读取和写入DRAM ，并每隔一段时间刷新动态随机存取存储器(DRAM)里的内容。如果没有不断刷新DRAM将会丢失已写入的数据，因为DRAM的储存单元其实是电容器的一种，电容器会不断泄漏它储存的电荷，...

FCRAM（快速循环随机存储器）是一种由富士通和东芝共同开发的内存技术。它是一种同步动态随机存取存储器（SDRAM），旨在提供比传统SDRAM更快的数据访问速度。 与传统的SDRAM相比，FCRAM的数据访问延迟更短，这是通过将每个存储行分成多个子行来实现的。在行激活操作期间，只有一个子行被激活，这...

1曾用在动态随机存储器的更新，而Timer 2則用在電腦蜂鳴器上。 較新Intel系統中用的LAPIC（英语：LAPIC）是解析度較高（1ms）的計時器。這是Linux内核從2.6.18版使用的PIT計時器。 高精度事件计时器 複振器 555計時器 Bran's Kernel...

上聚集的电荷可能会产生负面效应，例如，开启结构上的寄生晶体管和关态泄漏电流（off-state leakages），造成更高的电流消耗，以防动态随机存取存储器丢失信息。它也造成历史效应（英語：history effect），即晶体管与之前状态阈值电压有关的效应。在模拟电路器件中，浮体效应被称作扭结效应（英語：Kink...

XDR DRAM 以高达 7.2 GHz 的时钟速度运行，峰值带宽高达 28.8 GB/s。 它基于 DDR SDRAM（双倍数据速率同步动态随机存取存储器）标准的修改版本，具有几个关键差异。 其中一个主要区别是 XDR DRAM 使用差分信号方案，与 DDR SDRAM 中使用的传统单端信号相比，它允许更高的速度和更好的抗噪性。...

隨機存取記憶體（FeRAM）、磁阻式隨機存取記憶體（MRAM）、可編程金屬化單元（PMC）、电阻式存储器（ReRAM）、相變化記憶體（PCM）與其他)均在探索與研發中，希望能更大規模的取代快閃記憶體。 随着NAND制程越来越小，缩短制程提高存储...

Parkinson、Dennis Wilson和Doug Pitman創立。其主要業務為生產各種半導體元件，包括動態隨機存取存儲器，閃存和固態驅動器；其主要產品包括DRAM、NAND快閃記憶體、CMOS影像感測器、其它半導體元件和記憶體模組。 1978年10月，「美光科技」正式成立。 1990年代初期，美光科技成立子公司Micron...

存储用户数据。 纠错位会被认为是内存硬件自身的一部分，而不是存储在该硬件中的信息。 CAS延迟（英语：CAS latency） 动态随机存取存储器 设备带宽列表 内存延迟（英语：Memory latency） 记忆时间 随机存取存储器 BSS Random Access...