双极性電晶體（英語：bipolar transistor），或稱雙載子接面電晶體，全称双极性结型晶体管（bipolar junction transistor，縮寫：BJT），俗称三极管，是一种具有三个终端的电子器件。双极性晶体管是电子学历史上具有革命意义的一项发明，:79其发明者威廉·肖克利、约...

异质结双极性晶体管（英語：heterojunction bipolar transistor，縮寫：HBT）是双极性晶体管的一种，它的发射区和基区使用了不同的半导体材料，这样，发射结（即发射区和基区之间的PN结）就形成了一个异质结。异质结双极性晶体管比一般的双极性晶体管...

异质结构对半导体技术具有重大影响，是高频晶体管和光电子元件的关键成分。 异质结是两种不同半导体区域之间的接触面。不同于同质结，组成异质结的这些半导体的材料具有不同的带隙。在许多固态设备应用，如半导体激光器，太阳能电池和晶体管中，异质结通常有利于设计电子能带。尽管异质结和异质...

晶体管有时被称为「单极性晶体管」，以它的单载流子型作用对比双极性晶体管。FET仅使用电子（n沟道）或空穴（p沟道）作为载流子，而非同时使用两者。由于半导体材料的限制，以及曾经双极性晶体管比场效应晶体管容易制造，场效应晶体管比双极性晶体管要晚造出，但场效应晶体管的概念却比双极性晶体管早。场效应晶体管...

矽鍺（英語：Silicon-germanium，縮寫為SiGe），是一種合金，依矽和鍺的莫耳比可以表示成SixGe1-x。常被用作積體電路（IC）中的半導體材料，可做成异质结双极性晶体管或CMOS電晶體中的應變誘發層（strain-inducing layer）。IBM公司于1989年在工业生产中引入了硅锗合金相关技术，这一新技術使...

Beam Epitaxy, MBE）成長出多層的磊晶材料。這類半導體材料在高速半導體元件或是光電元件，如异质结双极性晶体管（Heterojunction Bipolar Transistor, HBT）、雷射二極體，或是太陽能電池上已經成為主流。 直接带隙和间接带隙...

aInP、InGaN等）或二六族化合物半導體，主要用于光電元件（例如：發光二極體、雷射二極體及太陽能電池）及微電子元件（例如：异质结双极性晶体管）及假晶式高電子遷移率電晶體（PHEMT））的製作。 MOCVD系統的組件可大致分為：反應室、氣體控制及混合系統、反應源及廢氣處理系統。 1. 反應室(Reactor...

幾何二極體 双极性晶体管（Bipolar Junction Transistor、BJT）- NPN或PNP 异质结双极性晶体管 達靈頓電晶體（Darlington transistor）- NPN或PNP 場效電晶體（Field effect transistor、FET） 结型场效应管（Junction...

[2013-01-06], ISBN 978-1-4244-4256-0, ISSN 1078-621X, （原始内容存档于2019-07-01）  GaAs FET MESFET （页面存档备份，存于互联网档案馆） radio-electronics.com. 场效应管 高电子迁移率晶体管 异质结双极性晶体管...

Wi-Fi可能僅能在大約10米（33英尺）範圍內工作，但「理論上」數據傳輸速度可以高達100 Gbit/s。 人體掃瞄安檢儀 异质结双极性晶体管（HBT） 高电子迁移率晶体管（HEMT） DanielBaroletabFrançoisChristiaenscMichael R.Hamblinde. Infrared...

一塊半導體晶體一側摻雜成p型半導體，另一側摻雜成n型半導體，中間二者相連的接觸面间有一个过渡层，稱為pn接面、p-n接面（p-n junction）。pn接面是電子技術中許多元件，例如半導體二極管、雙極性晶體管的物质基础。 1948年，威廉·肖克利的論文《半導體中的pn接面和pn接面型晶體管...

這種電晶體結合了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的高電流單柵控制特性及雙極性電晶體的低飽和電壓的能力，在單一的IGBT器件裡，會透過把一個隔離的場效應電晶體（FET）結合，作為其控制輸入，並以雙極性電晶體作開關。 絕緣柵雙極晶體管...

，是由磷、銦和鎵組成的半導體。因為其電子速率比常見的矽及砷化鎵要快，常用於高速或是高功率的電子元件中。 磷化銦鎵常用在高電子移動率電晶體（HEMT）及异质结双极性晶体管（HBT）結構中，但也用在太空應用的高速率太陽能電池，若加入鋁（AlGaInP（英语：Aluminium gallium indium...

接面的電子元件包括有pn二極體（英语：p–n diode）、肖特基二极管或是双极性晶体管。 接面也可以依接面二側材料的差異程度來分類，異質接面是由兩層以上不同的材料薄膜依次沉積在同一基座上形成，這些材料具有不同的能帶隙。同質接面（英语：Homojunction）的各層材料有相同的能帶隙，但其摻雜的方式不同。...

结型场效应管及高速切換的功率MOSFET。目前正在開發双极性晶体管及晶閘管。 碳化矽元件商品化的主要問題是如何去除缺陷：包括邊緣位錯、螺旋位錯（空心和閉合）、三角形缺陷及基面位錯。因此，雖然有許多研究設法要改善特性，但最早期碳化硅材料的元件，其反向電壓阻隔能力不好。除了晶體品質外，碳化硅和二氧化矽的界面問題也影響了SiC...

结处受损，原因是寄生NPN晶体管“击回”过程中的电流拥塞。在P/NMOS图腾柱结构中，通常是NMOS晶体管受损。结的结构影响其ESD敏感性；结的角落与缺陷会导致电流拥塞，降低损伤阈值。正向偏置结比反向偏置结更不敏感，因为正向偏置结的焦耳热通过较厚材料层散发，而反向偏置结的耗尽区较窄。...

crystal、六方密排极性斯格明子晶体 Hexagonal close-packed polar-skyrmion crystal、双层斯格明子晶体 bilayer skyrmion Crystal、斯格明子分子晶体 Skyrmion Molecular Crystals 半子晶体（meron Crystal）：双半子晶体...

48%，从而在材料内部产生内应力:8。 据称，该内部应力会在磷酸盐([PO4]3−)内的Pb(I)和氧之间产生异质结量子阱，从而产生超导量子阱 (SQW)。:10据李石培等人称，当使用化学气相沉积将LK-99应用于非磁性铜样品时，LK-99表现出完全抗磁性（迈斯纳效应）:4...

双极化子 Bipolaron：两个极化子的束缚态（Holstein 或 Fröhlich），类似于导电库珀对。极化子 (电子、声子) 多极化子 multipole polaron：由一个四极晶体电场极化云修饰的移动电子组成。 大弗勒利希极化子 Large Fröhlich polaron：在极性...