10 µm制程是半导体制造制程的一个水平，大约于1971年左右达成。 这一制程由当时领先的半导体公司如英特尔所完成。 于1971年推出的Intel 4004CPU使用这个制程。 于1972年推出的Intel 8008CPU使用这个制程。 Mueller, S. Microprocessors from...

6 µm制程是半导体制造制程的一个水平，大约于1974年左右达成。 这一制程由当时领先的半导体公司如英特尔所完成。 于1974年推出的Intel 8080CPU使用这个制程。 Mueller, S. Microprocessors from 1971 to the Present. informIT...

制程。第23代28纳米制程为能采用平面场效应管，用于大规模商业化量产芯片的最后一代制程，和其他更早更大，均采用平面场效应管的制程，一起被归入成熟制程。 美国对先进和成熟制程之定义较中国大陆为严格，即大于18纳米的芯片制程为成熟制程，18纳米和小于18纳米的为先进制程...

4004處理器的尺寸為3mm×4mm，外層有16隻針腳，內有2,300個晶體管，採用五层設計、10微米製程。 4004最初的主频是108KHz，最高時脈有740KHz，能執行4位元運算，支援8位元指令集及12位元位址集，使用10.8微秒和21.6微秒运行周期。当使用10.8微秒运行周期时，可以每秒运算9万次，成本低于100美元。4...

Geforce 7800 GTX（核心代號為G70），核心採用較成熟的TSMC 0.11微米制程，而不是90奈米制程。可能NVIDIA吸取了當年NV30太早引進0.13微米製程的教訓，良率很差。而ATi則採用不成熟的90奈米制程，令Radeon X1000系列延期很久才能推出。 重新設計Vertex Shader引擎...

180纳米制程，又稱0.18微米製程，是半导体制造制程的一个水平，大约于1999年至2000年左右达成。 这一制程是由当时领先的半导体公司如英特尔、德州仪器、IBM和台積電所完成的。 一些CPU最初是由这个制程所制造。其中包括英特尔奔腾III处理器。这是第一个沟道长度小于用于光刻的光的波长的制程。 英特尔...

350纳米制程，又稱0.35微米製程，是半导体制造制程的一个水平，大约于1995年至1996年左右达成。 这一制程由当时领先的半导体公司如英特尔和IBM所完成。 英特尔Pentium Pro、Pentium（P54CS，1995年）和最初的Pentium IICPU（Klamath，1997年）使用这个制程。...

130纳米制程，又稱0.13微米製程，是半导体制造制程的一个水平，大约于2000年至2001年左右达成。 这一制程由当时领先的半导体公司如英特尔、德州仪器、IBM和台積電所完成。 一些CPU最初是由这个制程所制造。其中包括英特尔奔腾III Tualatin处理器。这是第一个沟道长度小于用于光刻的光的波长的制程。...

制程；1年多后也证实繼續用於Pura 70 Pro/Ultra。 目前中芯國際在中國大陸有5個主要製造廠區、兩座合資廠區以及一座海外廠區。 上海廠區：總部所在地，位於上海張江高科技園區，由兩座工廠組成，一座是提供0.35微米~90奈米製程的200毫米晶圓廠，另一座是提供45/40奈米製程~28奈米製程的300毫米晶圓廠；...

程設計。由於完整支援OpenGL，所以能進行3DS MAX動畫制作。 NV5採用0.25微米制程來製造，時脈提高到125MHz。TNT2比上代TNT引擎有長足進步，使用了第二代單一周期多重貼圖運算，硬體設計合乎DirectX 7.0的需要。其後，一些TNT2 Ultra更採用0.22微米制程，時脈進一步提升，亦完全擊敗Voodoo...

支援指令集：MMX，SSE，SSE2，EIST 2004年10月第二代Centrino芯片推出，代號Sonoma，核心名称为Dothan。采用0.09微米制程芯片工艺。集成2MB L2 Cache，前端总线支持到533MHz，也有400MHz产品，集成1億4000万晶体管。配套的芯片组为i915系列，采用PCI...

NVIDIA的目標是讓RIVA TNT的效能能達到 3dfx Voodoo2 的两倍。但受制於0.25微米制程還沒有成熟，RIVA TNT的製造工藝是0.35微米制程。這令到核心頻率比原先預計的110MHz大幅降低，只有90MHz，在这一频率上RIVA TNT的综合效能并不及Voodoo2。RIVA...

1GHz超頻到1.3GHz等等。 接口：Slot-1 制程：250納米 电压：2.00伏特 指令集：MMX 外频：66MHz 倍频：4x、4.5x 赛扬系列的首次登场，当时只推出了266MHz和300MHz两个型号，其实就是0.25微米製程的Pentium...

易反应液体、例如过氧化氢、发烟硝酸、硫酸以及氢氟酸 工人直接暴露在这些有毒物质下是致命的。通常IC制造业高度自动化能帮助降低暴露于这一类物品的风险。 当线宽远高于10微米时，纯净度还不像今天的器件生产中那样至关紧要。但随着器件变得越来越集成，無塵室也变得越来越干净。今天，工廠內是加壓过滤空气，来去除哪怕那些可能留在...

納米，又称奈米，為微米的千分之一倍（符號 nm，英國英語：nanometre、美國英語：nanometer，字首“nano”在希臘文中的原意是「侏儒」的意思），是一个長度單位，指1米的十億分之一（10-9m）。 有時候也會見到埃（符號 Å）這個單位，為10-10m。 1奈米（nm）= 10 埃（Å）= 10-9m...

引线键合（英語：Wire bonding，台湾作打線接合）是一種積體電路（IC）封裝產業中的製程之一，利用線徑15-50微米的金屬線材將晶片（chip）及導線架（lead frame）連接起來的技術，使微小的晶片得以與外面的電路做溝通，而不需要增加太多的面積。其他類似的接合技術如覆晶接合（Flip-...

welding）是一種固態焊接製程，其中在兩個待焊接工件的界面處進行連接而不熔化或加熱。傳統焊接方式會將接合面的材料熔化，而冷焊不需要熔化材料。與熔化焊製程不同，接頭中不存在液相或熔融相。 冷焊是在1940年代發現的，當時發現二個類似金属材質，表面光滑潔淨的材料，若在真空下接觸，會緊密的接合在一起。目前己發現微米...

「互補式金屬氧化物半導體」（CMOS）技術，並在工研院成立電子工業研究發展中心，全力發展積體電路技術。 1977年10月，工研院建立了台灣第一座積體電路示範工廠，開始生產7.5微米製程晶圓。成立僅六個月的時間，產品良率就已高達七成，遠高於技轉母廠RCA的五成，使台灣一舉躍升全球第三大電子錶輸出國。...

Display提供的8微米像素間距的有源主動式元件矩陣矽基背板上。 Micro LED Display的顯示原理，係將LED結構設計進行薄膜化、微小化、陣列化，其尺寸僅在1~10μm等級左右；後將μLED批量式轉移至電路基板上（含下電極與電晶體），其基板可為硬性、軟性之透明、不透明基板上；再利用物理沈積製程...

法出貨。因此，台灣工業技術研究院於1990年代延攬當時任職貝爾實驗室的盧志遠回國，發起為期五年的「次微米製程技術發展計畫」，以冀發展台灣國產記憶體技術，確保供貨無虞。1993年，首批製造0.5mm製程的16MB DRAM八吋晶圓通過驗證，為台灣首批自主生產的DRAM產品。1994年，工研院以技術轉移...

PCX名副其實是過渡產品。 核心以TSMC0.13微米製程製造。與前代0.15微米製程相比，新的製程可使電晶體縮小25%且快上25%。但NV30结构复杂，导致成品率较低。而128位的显存頻宽严重跟制了其性能，由於核心頻率高，所以发热量也高。而必須采用更強的散熱風扇。然而該散...

製程使用的晶圓尺寸是固定的，所以如果晶片面積越小，同樣大小的晶圓就可以產出更多的晶片，於是成本就變得更低了。 雖然金氧半場效電晶體尺寸縮小可以帶來很多好處，但同時也有很多負面效應伴隨而來。 金氧半場效電晶體的尺寸縮小後出現的困難 把金氧半場效電晶體的尺寸縮小到一微米以下對於半導體製程...

磁性蛋白質分子和相關元件的研究 運用次微米和奈米尺度圖案定義的cell及tissue工程 元件模型與模擬 3D金屬光子晶體和人工磁性響影 半導體奈米結構和元件 生物元件 等領域 1988年：奉行政院核准，成立國家次微米元件實驗室 1992年8月：class 10級無塵室正式運轉 1993年6月：更名為國家毫微米元件實驗室...

256顯示核心採用0.22微米製程製造，是256-bit顯示架構，擁有4條像素流水線。每一條有4个像素單元，1个材質單元。三角形生成率是每秒1500萬個，像素生成率則是每秒4亿8000萬個。它擁有2300万个晶体管，數量已超过了PentiumIII，本应采用0.18微米製程...

8397 又添加到该系列中。 Intel 809x/839x/879x IC为12 MHz ，16位单片机，基于5 V 、3微米制程、HMOS工艺。该微控制器具有片上ALU 、4通道10位模数转换器（ADC）、8位脉宽调制器（PWM）、看门狗定时器、4个16位软件定时器、硬件乘法、除法以及8 KB片上ROM...

801）与MIPS架构的处理器得到灵感的。PowerPC架构的特点是可伸缩性好、方便灵活。第一代PowerPC采用0.6微米製程，電晶體約為单芯片280万个。 以PowerPC架構發展出來的第一個晶片是1993年推出的PowerPC 601，而IBM以PowerPC 601推出了RS/6000...

7400是首款推出的G4處理器，於1999年夏季推出，時脈速度為400至500MHz。 該款處理器晶片內有1050萬個晶體管，使用了Motorola的0.20微米 HiPerMOS6製程，晶片面積為83mm2，並以銅連線技術作為賣點。 由於當時Motorola生產的7400系列處理器未能達到蘋果所要求的時脈，使得其時脈由...

2003：收购飞利浦公司位于美国德克萨斯州圣安东尼奥市的亚微米CMOS晶片厂，生产容量大幅增加并支持0.25微米级工艺。 2007：收购Atmel公司位于美国德克萨斯州欧文市的0.18微米製程晶片厂，晶片生产容量大约增长一倍。 2007：收购Vitesse...

纳米机器人学（nanorobotics）是建造纳米（10-9米）级别机器或者机器人的新兴学科。更具体来说，纳米机器人学指的是设计和建造由纳米或者分子级别的成分构成的、大小在0.1-10微米的纳米机器人（nanorobots）的纳米技术工程科学。这是一个当前正处于研發状态的设备，其英文为nanorobots...

8微米製程技術製造。接著推出的是P54，是把P5縮小到0.6微米製程，已經是可以作為雙處理器以及擁有與前端匯流排不同的內部時脈速度（要增加匯流排的速度要比增加內部時脈來得更困難）。P54之後接著是P54C，使用0.35微米製程 - 純粹CMOS製程，相對於在早期的Pentium是使用Bipolar...

nm），因此可通过光学聚焦调整最大吸收。缺陷區域約10 µm寬度透過激光沿著預期的切割通道進行多次掃描刻劃，其中光束聚焦在晶圓的不同深度。單一雷射脈衝會導致類似於蠟燭火焰形狀的缺陷晶體區域。這種形狀是由雷射光束焦點中照射區域的快速熔化和凝固造成，其中只有一些 立方微米等級的小體積在奈秒內突然升至約1000...