浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管（Floating-gate MOSFET，简称浮栅MOSFET或FGMOS）是一种场效应晶体管，其结构类似传统的金属氧化物场效应晶体管（MOSFET） 。FGMOS的栅极是电绝缘的，从而在直流电中产生浮动节点。在浮栅（floating...

场效应管（英語：field-effect transistor，缩写：FET）為電晶體的一種，是一种通过电场效应控制电流的电子元件。场效应晶体管分为两种类型：结型场效应晶体管（JFET）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。FET具有三个端子：源极（source）、栅...

（SRAM），它在每个存储单元使用多个MOS晶体管，另一個是动态RAM（DRAM），每个单元使用一个MOS晶体管和一个MOS电容。非易失性存储器（如EPROM、EEPROM和闪存）使用浮栅存储单元，每个单元由一个浮栅MOS 晶体管组成。大多数类型的半导体存储器都具有随机访问的特性，也就是说访问任何...

起诉了东芝公司，并索要10亿日元的补偿，最后和东芝公司达成和解，得到8700万日元（合758,000美元）。 快閃記憶體將資料儲存在由浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管組成的記憶單元陣列內，在單層儲存單元（Single-level cell, SLC）裝置中，每個單元只儲存1位元的資訊。而多層儲存單元（Multi-level...

场效应晶体管，并观测到了量子干涉效应，并基于此結果，研究出以石墨烯为基材的电路。 石墨烯的问世引起了全世界的研究热潮。它是已知材料中最薄的一种，質料非常牢固坚硬，在室温狀況，传递电子的速度比已知导体都快。石墨烯的原子尺寸结构非常特殊，必须用量子场论才能描绘。...

配网用复合材料杆塔 GB/T 41492-2022 城市轨道交通浮置板用橡胶弹簧隔振器 GB/T 41493.1-2022 阴极保护用混合金属氧化物阳极的加速寿命试验方法 第1部分：应用于混凝土中 GB/T 41493.2-2022 阴极保护用混合金属氧化物阳极的加速寿命试验方法 第2部分：应用于土壤和自然水环境中...