電界効果トランジスタ（でんかいこうかトランジスタ、Field effect transistor, FET）は、半導体の内部に生じる電界によって電流を制御する方式のトランジスタである。 微細かつ平面的なものを大量に製造する技術が確立されており、集積回路に搭載されている半導体素子としては最も一般的であ...

電界効果トランジスタ (FET) またはユニポーラトランジスタ ゲートの電圧（チャネルの電界）によって制御する方式のトランジスタである。ゲート電極が半導体酸化物の絶縁膜を介しているものを特に MOSFET という。 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ (IGBT) ゲート部に電界効果トランジスタ...

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ぜつえんゲートバイポーラトランジスタ、英: insulated-gate bipolar transistor、IGBT）は半導体素子のひとつで、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）を主要部に組み込んだバイポーラトランジスタである。電力制御の用途で使用される。...

イオン感応性電界効果トランジスタ（イオンかんのうせいでんかいこうかトランジスタ）とは、溶液中の特定イオンに選択的に応答し、その濃度に対応する電気信号を出力するセンサである。従来のイオン電極と高入力抵抗増幅器とを集積化したものといえる。 従来のイオンセンサは化学工業や臨床医学の分野で普及しており、早...

有機電界効果トランジスタ（ゆうきでんかいこうかトランジスタ、OFET）とは有機半導体を活性層に用いた電界効果トランジスタのことである。OFETは真空蒸着や溶液塗布によって作成することができ、低コストかつ大面積な電子製品の実現をめざして開発が進められている。OFETにはさまざまな種類があるが、最も一般...

電界効果トランジスタ（FET）などのユニポーラトランジスタと異なり、正・負両極のキャリアをもつためバイポーラと呼ばれる。 最初に広く使われたトランジスタであるため、単にトランジスタと言うときにはバイポーラトランジスタを指すことが多い。バイポーラトランジスタという呼び名は、後に FET...

薄膜トランジスタ（はくまくトランジスタ、thin film transistor、TFT）は、電界効果トランジスタ（field effect transistor、以下FET）の1種である。基本的に三端子素子（バックゲート端子 (B) が存在しない）である。主に液晶ディスプレイ (LCD)...

信号電圧はバイアス電圧、ピンチオフ電圧、接合部耐圧を超えることがあり、その限界は散逸に依存する。信号電流はチャネル抵抗に反比例して流れる。信号は空乏層を変調しないので、電界効果四極トランジスタは高い周波数で機能する。同調比は非常に大きくすることができ、対称的なピンチオフ条件では、高抵抗の限界はメガオームの域に達する。 ^ Tetrode...

は、高感度化に加え小型化や集積化にも利点を有する電界効果トランジスタ(FET)を応用したバイオセンサーで、ゲート絶縁膜上に固定されたプローブ分子との特異的な相互作用に基づいて吸着した検出対象物質の電荷を電気信号へ変換する。 既に1980年代から開発が進められていて、近年ようやく普及しつつある。イオン感応性電界効果トランジスタ...

MOSFET（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ・英: metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）は、電界効果トランジスタ (FET) の一種で、LSIの中では最も一般的に使用されている構造である。材質としては、シリコンを使用するものが一般...

う。時間によって変化しない電場を静電場（せいでんば）または静電界（せいでんかい）とよぶ。 電界強度は電位の勾配に相当し、単位を[V/m]とすることもある。電界強度分布を長さで積分すると電位差｜電圧が得られる。例えばアンテナの実効長と平均電界強度との積はアンテナの誘起電圧となる。...

3 (119): 12-19, (2009), http://floadia.com/column/semi_2.pdf  ^ アメリカ合衆国特許第 2,524,035号 バイポーラトランジスタ 電界効果トランジスタ ウィキメディア・コモンズには、点接触型トランジスタに関連するカテゴリがあります。...

例えば、イオン感応性電界効果トランジスタ(ISFETセンサ)に酵素膜を被覆し、酵素反応によりイオン種濃度（例えばH+）が膜内に増加するように素子を作成すると、そのセンサは試料中に挟雑物中が多くとも、その酵素に特異性を持つ基質の濃度に比例した電気信号を得ることができる。 バイオセンサの原理は1962年にリーラン...

静電誘導トランジスタ（せいでんゆうどうトランジスタ、英語: Static Induction Transistor (SIT)）とは、高周波特性を改善した電力用半導体素子である。 電界効果トランジスタ (FET: Field Effect Transistor) の一種で1950年に東北大学の西澤潤一によって開発された。...

ミキシング・コンソールの各チャンネル シンセサイザーやロムカセットなどの同時発音可能な音源モジュールにおける各音声チャンネル 電界効果トランジスタで被制御電流が通過する領域。電界効果トランジスタ#チャネル参照。 コンピュータにおける入出力チャネル（I/Oチャネル）の略。中央処理装置と入出力バスとの間のデータの...

高電子移動度トランジスタ（こうでんしいどうどトランジスタ、High Electron Mobility Transistor）は、半導体ヘテロ接合に誘起された高移動度の二次元電子ガス(2DEG)をチャネルとした電界効果トランジスタのことで、英語の単語の頭文字を取ってHEMT(ヘムト)と呼ばれる。1...

ダイアック バリスタ エサキダイオード（トンネルダイオード） 素子のオン状態およびオフ状態を外部から与える信号によって任意に切り替えられることが出来るものを自己消弧素子という。 トランジスタ バイポーラトランジスタ 電界効果トランジスタ (FET) 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ (IGBT） ユニジャンクショントランジスタ...

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積回路として、相補型メモリ回路を含むさまざまな複雑な論理機能を発表している。フランク・ワンラスは、RCAでウェイマーが行った研究に精通していた。 MOSFET（金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ、MOSトランジスタ）は、1959年にベル研究所のモハメド・M・アタラ（英語版）...

回収）、接地基板（Base : 基板）にちなむ。 FET : ソース (S)、ドレイン (D)、ゲート (G) 名称は接合型電界効果トランジスタの構造と電子の動きに由来し、電子を発生する極（Source : 発生源）、電子を外へ排する極（Drain : 排出溝）、調節する関門 (Gate)...

。さらに、ゲートの極短チャネル化に伴う半導体特性の劣化機構の研究から、素子の微細化に関する基礎を確立した。加えて、電界効果トランジスタにおける電子伝導機構の研究を通じ、二次元系の量子効果に関する物理的基礎を確立するなど、学術面においても多大な貢献をした。 1931年 東京府にて生まれる 1950年 東京都立新宿高等学校卒業...

ポリフルオレン ポリフェニレンビニレン ポリピロール ポリアニリン などが挙げられる。 有機エレクトロルミネッセンス（有機EL）(OLED) 有機電界効果トランジスタ (OFET) 有機太陽電池（色素増感太陽電池、有機薄膜太陽電池）(OPV) など ^ 鹿児島誠一. "2000 年度ノーベル化学賞: 白川英樹氏...

ゲート絶縁膜（ゲートぜつえんまく）とは、電界効果トランジスタ (FET) において、ゲートとチャネル（基板）の間に存在する絶縁膜。 最先端プロセスにおいて、ゲート絶縁体は以下のような多くの制限を受ける。 電気的にクリーンな基板との界面（低密度の電子の量子状態）。 高電気容量。FET相互コンダクタンスを増加させる。...

ネリングで制御することにより、ゲート電圧を ~1 ボルトから 0.2 ボルトに低減し、電力消費量を 100分の1以下に抑えた電界効果トランジスタが実証された。このトランジスタをVLSIチップ（英語版）にまでスケールアップすることができれば、集積回路の電力性能効率を大きく向上させることができる。...

テトラセン (tetracene) は、有機化合物の一種。ベンゼン環が直線上に縮合して連なった構造を持つ芳香族炭化水素、アセン類のひとつで、テトラセンは4環からなる。淡黄色の固体。 化学発光の演示実験で、蛍光発光剤として用いられる。 テトラセンは有機半導体のひとつで、有機電界効果トランジスタ (OFET)、有機エレクトロルミネッセンス...

源配線を信号線より広くすると言った処理は習慣的に行なわれている。 電界効果トランジスタ 電界効果トランジスタのゲートのインピーダンスは非常に高く、構造的にもコンデンサがソース・ドレイン間に接続されているとみなせる。単体のトランジスタでもゲート・ソース間電圧を意図的にプルアップ・プルダウンしないと、...

なす。電気抵抗やリアクタンスを付与するには、明示的に抵抗器やコイルのような受動素子を追加する。トランジスタなどの能動素子は、制御された電流源または電圧源として扱われることが多い。例えば電界効果トランジスタはソース・ドレイン間の電流源としてモデル化でき、その電流はゲート・ソース間の電圧で制御される。...

トランジスタなどの半導体素子に利用されている。 半導体は、電気伝導性の良い金属などの導体と、電気抵抗率の大きい絶縁体の中間的な抵抗率をもつ物質である。代表的なものとしては元素半導体のケイ素、ゲルマニウム、化合物半導体のヒ化ガリウム、リン化ガリウム、リン化インジウムなどがある。...

MESFET（英: metal-semiconductor field effect transistor）は電界効果トランジスタの一種。ショットキー接合性の金属をゲートとして半導体上に形成した構造を持つ。動作原理はpn接合を使用しているJFETと同一である。一般にMESFETは化合物半導体で利用さ...

オーミックコンタクトは電荷がトランジスタと外部回路との間を容易に移動できるため、通常はオーミックコンタクトが好ましい。しかしショットキーダイオード、ショットキートランジスタ、金属-半導体電界効果トランジスタ（MESFET）などはショットキー障壁が用いられている。...

効果やホットキャリア注入が通常用いられる。 FGMOSの応用として、EPROM、EEPROM、フラッシュメモリでのデジタル記憶素子、ニューラルネットワークでのニューラル計算素子、アナログ記憶素子、デジタルポテンショメータ、シングルトランジスタD/Aコンバータがある、...